中的照明光学系统、成像光学系统、晶圆平台模组、掩模搬运模组和晶圆搬运模组都得处于真空环境下？

这是因为EUV光波长极短，极易被包括空气在内的所有物质吸收。

在真空环境中，可最大限度减少气体分子对EUV光的吸收和散射，从而确保光源能量能有效传输至后续光学系统。

若处于非真空环境，EUV光会在传输过程中大幅衰减，无法满足光刻所需的能量强度。

这一模块的核心技术，是由章延杰牵头，联合几十名沈阳光机所的工程师共同攻关拿下的。

因此，他比任何人都紧张，生怕出现纰漏，拖了团队的后腿。

“启动光源预热，功率设定为最低档位。”

陈延森语气平静地宣布下一道指令。

令人紧张的时刻到来！

这是星源科技驯服的第一头猛兽——磁约束放电激发等离子体光源（MCDE-EUV光），即将被唤醒！

如果一切正常，它将用“电磁场”代替“激光”作为激发和约束等离子体的手段，进而获得微弱的、波长为13.5纳米的极深紫外光。

时间一分一秒地过去。

主监控屏上，一个原本平坦的基线，微微跳动了一下。

随后，一个虽然微弱但清晰可辨的信号峰值，顽强地升了起来！

“有信号了！”一名年轻的研究员忍不住地喊了出来，声音因激动而变得有些失真。

大家心里清楚！

第一台EUV光刻机对华国的重大战略意义！

几乎在同一时间，位于光路末端的EUV功率探测器，传回了第一条数据：107瓦！

一个在ASML看来早已被甩在身后的数字，此刻却让整个控制室陷入了短暂的寂静，随即爆发出巨大的欢呼声！

许多人下意识地拥抱在一起，眼眶瞬间红了。

林南感觉自己的手都在微微颤抖，于是紧紧抓住栏杆，强迫自己冷静下来。

陈延森倒是心态平稳，他抬手压了压，控制室里的欢呼声很快平息。

“提高功率档位！”陈延森继续说道。

EUV光刻机的功率直接决定单位时间内的晶圆处理数量，每一次曝光都需足够的EUV光能量触发光刻胶的光化学反应。

若光源功率低，需延长单次曝光时间或增加脉冲次数，才能满足能量需求，导致单晶圆处理时间变长。

比如200W功率的机型每小时可处理约125片晶圆，而250W机型可提升至每小时170片，产能提升近40%。

技术差一点，就是差了一大截！

而且功率越高，单位晶圆的光刻成本就越低，规模化优势就越强。

闻言，林南立刻收敛心神，右手在控制台上快速滑动，目光紧盯着功率调节界面：“收到！当前目标档位220瓦，升压速率已调至安全阈值，避免等离子体不稳定。”

控制台屏幕上，代表光源功率的数字开始缓慢爬升，每一个数值的跳动，控制室内的呼吸声就跟着沉重一分。

137瓦、168瓦、214瓦……

当数字稳稳停在220瓦时，林南立即看向一旁的光源稳定性监测曲线。

那条代表等离子体约束状态的绿色线条，始终保持着平稳的波动，没有出现任何异常的尖峰或骤降。

系统运行稳定！

“功率稳定在220瓦！等离子体约束状态良好，没有出现能量泄漏！”

林南的声音比刚才响亮了几分，紧绷的肩膀也稍稍放松了一些，脸上绽放出一抹旁人看不见的灿烂笑容。

作为国产第一台EUV光刻机的核心研发人